Фотоэлектрический датчик ODM12P-I200P3-C12
Под заказ
Характеристики
Общие характеристики
Бренд:
MSA
Тип:
Диффузный
Тип света:
Инфракрасный светодиод
Длина волны:
880 нм
Расстояние обнаружения:
0 … 200 мм
Электрические характеристики
Рабочее напряжение:
10 … 30 В DC
Выход
Тип выхода:
Дискретный
Дискретный выход:
PNP
Тип переключения:
Light on / Dark on
Частота переключений:
500 Гц
Механические характеристики
Тип корпуса:
Цилиндрический
Размер корпуса:
M12
Материал корпуса:
ПБТ
Тип подключения:
Разъем M12, 4-конт.
Условия окружающей среды
Температура эксплуатации (мин.):
-25 °C
Температура эксплуатации (макс.):
+55 °C
Степень защиты:
IP66
Артикул:
ODM12P-I200P3-C12
Неверный информационный блок