Фотоэлектрический датчик OBC33B-R80P3-2
Под заказ
Характеристики
Общие характеристики
Бренд:
MSA
Тип:
Диффузный с подавлением фона
Тип света:
Красный светодиод
Длина волны:
650 нм
Точность повторения:
< 5%
Расстояние обнаружения:
80 мм (регулируемое)
Размер светового пятна:
⌀5 мм @ 200 мм
Гистерезис:
< 20%
Минимальный размер объекта:
⌀10 мм (непрозрачный)
Электрические характеристики
Рабочее напряжение:
12 … 24 В DC (±10%)
Максимальный ток нагрузки:
100 мА
Потребляемый ток (без нагрузки):
<15 мА
Остаточное напряжение:
< 1 В
Выход
Тип выхода:
Дискретный
Дискретный выход:
PNP
Тип переключения:
Light on / Dark on
Частота переключений:
700 Гц
Задержка отклика:
<500 мкс
Защита от короткого замыкания:
Есть
Защита от обратной полярности подключения:
Есть
Защита от перегрузки:
Есть
Механические характеристики
Тип корпуса:
Прямоугольный
Размер корпуса:
C33B (12 x 33,5 x 21,2 мм)
Материал корпуса:
АБС-пластик
Тип подключения:
Кабель 2 м
Длина кабеля:
2 метра
Средства индикации и управления
Регулировка чувствительности:
Потенциометр
Условия окружающей среды
Температура хранения:
-25 … +70 °C
Предел внешней засветки:
Лампа накаливания ≤ 3000 люкс; солнечный свет ≤ 10 000 люкс
Температура эксплуатации (мин.):
-10 °C
Температура эксплуатации (макс.):
+55 °C
Относительная влажность:
35 … 85 % (без конденсата)
Степень защиты:
IP66
Соответствие стандартам
Виброустойчивость:
10-55 Гц, двойная амплитуда 1,0 мм, по 30 минут по каждой из трёх осей
Ударопрочность:
300 м/с², 3 раза по каждой из трёх осей
Артикул:
OBC33B-R80P3-2
Неверный информационный блок